[发明专利]一种用于提纯晶体硅的区熔炉和晶体硅的提纯方法有效
| 申请号： | 200910205675.9 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102041548A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 高艳杰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体硅的提纯方法，包括炉体及设置在所述炉体内的感应加热装置；所述感应加热装置包括一个多匝感应线圈和感应短路环；所述感应短路环包括设置在所述多匝感应线圈上方的感应短路上环和设置在所述多匝感应线圈下方的感应短路下环。多匝感应线圈可以提供较大的功率，因此增加晶体硅棒的熔区面积，有利于得到高纯度的晶体硅。熔区增大后，为了防止熔区坠落，在所述多匝感应线圈的上方和下方分别设置有两个感应短路环。这样，多匝线圈产生的一部分“外泄”磁场在两个感应短路环上产生高频电流，高频电流又分别产生感应磁场。感应短路环上的感应磁场与晶体硅棒熔区磁场产生的相互作用力可以提高熔区的液体表面张力，防止熔区坠落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提纯 晶体 熔炉 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提纯晶体硅的区熔炉，包括：炉体及设置在所述炉体内的感应加热装置。所述感应加热装置包括一个多匝感应线圈和感应短路环，所述感应短路环包括设置在所述多匝感应线圈上方的感应短路上环和设置在所述多匝感应线圈下方的感应短路下环。
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