[发明专利]用于存储器件的方柱形开关元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910205433.X | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101853873A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 朴海赞 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L29/872;H01L21/82;G11C5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于存储器件的开关元件，包括：具有多个线型沟槽的基底层。在除沟槽以外的基底层上形成第一绝缘图案。在沟槽底部上形成薄膜形式的第一二极管部。在第一二极管部上形成第二绝缘图案并使其彼此间隔以在其中具有第一二极管部的沟槽中形成孔。在第一二极管部上方的孔中形成方柱形第二二极管部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 器件 方柱形 开关 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于存储器件的开关元件，包括：包括多个线型沟槽的基底层；在除所述沟槽以外的所述基底层上形成的第一绝缘图案；在所述沟槽底部上形成的薄膜形式的第一二极管部；第二绝缘图案，所述第二绝缘图案在所述沟槽中的所述第一二极管部上形成并彼此间隔以在每个所述沟槽中形成多个孔；和在所述第一二极管部上方的所述孔中形成的方柱形第二二极管部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
