[发明专利]BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管，包括：集电区、基区和发射区。集电区由有源区中的P型杂质离子注入层即NMOS的P阱构成，底部连接一形成于浅槽底部的P型导电区，通过P型导电区和集电区相邻的有源区的连接引出集电区。基区由集电区上部的N型杂质离子注入层即NMOS的NLDD构成，通过基区上部的N型多晶硅引出。发射区为形成于基区上部的P型外延层构成，并通过NPN管的非本征基区注入连接出去。本发明还公开了该BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件、为电路提供多一种器件选择；本发明还能降低生产成本。

主权项

一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成，该P型杂质离子注入层为CMOS工艺中的NMOS的P阱，所述集电区底部连接一P型导电区，所述P型导电区为通过P型杂质离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部的P型赝埋层，所述P型导电区还和第二个有源区相连，所述第二个有源区为和所述第一个有源区通过所述P型导电区所对应的沟槽相隔离的有源区，通过在所述第二个有源区形成P型杂质离子注入层并做金属接触引出所述集电区；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层即NMOS的NLDD注入层构成；一发射区，由所述基区上部的P型外延层即NPN晶体管的基区外延层构成，直接通过一金属接触引出；所述基区是通过形成于其上部的N型重掺杂多晶硅进行连接，并通过所述多晶硅上做金属接触引出所述基区。