[发明专利]离子注入工艺中的基片背面注入方法无效
| 申请号： | 200910201910.5 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102087956A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 朱伟诚;郑刚;施向东 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入工艺中的基片背面注入方法，包括如下步骤：(1)对基片的正面进行贴膜；(2)将基片反转倒置，调整离子注入机的搬送机制；(3)应用离子注入机进行基片的背面注入；(4)注入后的基片进行反转和剥膜，完成背面注入的基片。该方法通过正面贴膜工艺，调整离子注入机的搬送机制，成功实现了基片的背面注入，该方法具有较高的可操作性和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 工艺 中的 背面 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入工艺中的基片背面注入方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对基片的正面进行贴膜；(2)将基片反转倒置，调整离子注入机的搬送机制；(3)应用离子注入机进行基片的背面注入；(4)注入后的基片进行反转和剥膜，完成背面注入的基片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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