[发明专利]多晶二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910201827.8 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102064200A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶二极管及其制作方法；包括：场氧化区域；在场氧化区域之上有纵向堆叠布置构成P-N结的多晶硅和多晶锗硅；构成P-N结的多晶硅和多晶锗硅上分别设置通孔和金属层。本发明所述的二极管由于采用纵向结构，其面积由多晶硅和多晶锗硅的接触面积决定，不受多晶硅厚度的限制，占用面积较小，本发明也可用于静电保护等用途。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶二极管；其特征在于，包括：场氧化区域；在场氧化区域之上有纵向堆叠布置构成P‑N结的多晶硅和多晶锗硅；构成P‑N结的多晶硅和多晶锗硅上分别设置通孔和金属线。
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