[发明专利]利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法有效
| 申请号： | 200910201788.1 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102064130A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 房宝青;张朝阳;李江华;孙效中 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法，包括如下步骤：步骤1.在接触孔曝光后进行金属层间氧化物的干法刻蚀；步骤2.第一次接触孔刻蚀，为后续与金属的连接形成欧姆接触；步骤3.第一次接触孔离子注入；步骤4.第二次接触孔刻蚀，形成有轻微台阶的倒梯形结构；步骤5.湿法刻蚀回刻，将突出的金属层间氧化物的界面刻蚀回去，并略缩后于硅的界面；步骤6.干法刻蚀倒角，将所有台阶磨平；步骤7.第二次接触孔离子注入，对接触孔底部的离子注入形成肖特基接触，形成利于金属填充的圆角倒梯形的侧壁光滑的接触孔形貌。该方法使金属填充效果良好，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 利于 金属 填充 sdmos 接触 形状 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法，其特征在于，通过以下工艺步骤形成平滑的倒梯形结构的接触孔：步骤1.在接触孔曝光后进行金属层间氧化物的干法刻蚀；步骤2.第一次接触孔刻蚀，为后续与金属的连接形成欧姆接触；步骤3.第一次接触孔离子注入；步骤4.第二次接触孔刻蚀，形成有轻微台阶的倒梯形结构；步骤5.湿法刻蚀回刻，将突出的金属层间氧化物的界面刻蚀回去，并略缩后于硅的界面；步骤6.干法刻蚀倒角，将所有台阶磨平；步骤7.第二次接触孔离子注入，对接触孔底部的离子注入形成肖特基接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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