[发明专利]超接面MOS纵向P型区的制作方法无效
| 申请号： | 200910201729.4 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102054701A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王飞;刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长N型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成超接面MOS的纵向P型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区。本发明利用外延成长和氧化物混合填充深沟槽工艺方法可以有效改善填充工艺，可以有效弥补沟槽填充不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 超接面 mos 纵向 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长N型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成超接面MOS的纵向P型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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