[发明专利]离子注入系统及改善束流流强和角度分布的方法有效
| 申请号： | 200910201388.0 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102102189A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入系统中改善束流流强和角度分布的方法，基于该束流测量设备测得的流强分布和角度分布数据执行以下步骤：S1、调节该两个二极磁铁的驱动电流，使该引出系统与该质量分析磁铁之间的束流路径顶部和底部的束流均向中部偏转；S2、调节该束流均匀度控制器和/或该校准器，使该预设能量范围内的离子束在经过该校准器后其束流路径的顶部、中部和底部的束流均为平行传播。本发明还公开了一种离子注入系统。本发明能够使通过质量分析磁铁的束流大幅提升，获得了较高的束流传输效率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 系统 改善 流流 角度 分布 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出系统，该引出系统用于从该离子源引出离子束；一质量分析磁铁，用于从来自该引出系统的离子束中选择一预设能量范围内的离子束；一束流均匀度控制器，用于调整来自该质量分析磁铁的该预设能量范围内的离子束的纵向密度分布；一校准器，用于使来自该束流均匀度控制器的该预设能量范围内的离子束变为平行传播后注入晶圆；其特征在于，该系统还包括两个分别设于该引出系统与该质量分析磁铁之间的束流路径的顶部与底部的二极磁铁。
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