[发明专利]高分子PTC芯片及其应用无效
| 申请号： | 200910200959.9 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101763925A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 周欣山;傅坚;宋华;李凯 | 申请（专利权）人： | 上海神沃电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C7/13 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于过流防护的电子元器件，公开了一种高分子PTC芯片及其应用。本发明的高分子PTC芯片，由两片金属箔电极以及夹在所述两片金属箔电极之间的高分子PTC复合导电材料层复合构成，所述高分子PTC复合导电材料由包括下列组分及体积百分配比的原料复合而成：有机高分子聚合物24.5％-40％；导电陶瓷粒子55％-75％；炭黑0.5％-10％。本发明的高分子PTC芯片电阻低、电性能稳定，且机械性能好，易加工，综合性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 ptc 芯片 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种高分子PTC芯片，由两片金属箔电极以及夹在所述两片金属箔电极之间的高分子PTC复合导电材料层复合构成，所述高分子PTC复合导电材料由包括下列组分及体积百分配比的原料复合而成：有机高分子聚合物 24.5％-40％；导电陶瓷粒子 55％-75％炭黑 0.5％-10％。
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