[发明专利]接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 200910199989.2 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102087992A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孙武;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种接触孔的形成方法，包括：在半导体衬底上形成布线层，所述半导体衬底分为器件密集区、器件非密集区和切割区；在布线层上依次形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；在第二刻蚀阻挡层上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层和第二刻蚀阻挡层，形成接触孔图形，其中至少一个区域的接触孔图形内残留有第二刻蚀阻挡层；沿接触孔图形刻蚀剩余第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层，形成接触孔开口图形，使器件密集区、器件非密集区和切割区的接触孔开口图形内残留第一刻蚀阻挡层的厚度接近一致；沿接触孔开口图形刻蚀去除第一刻蚀阻挡层，形成接触孔。本发明各区域的接触孔深度接近一致，避免了断路情况的产生，提高了半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成布线层，所述半导体衬底分为器件密集区、器件非密集区和切割区；在布线层上依次形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；在第二刻蚀阻挡层上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层和第二刻蚀阻挡层，形成接触孔图形，其中至少一个区域的接触孔图形内残留有第二刻蚀阻挡层；沿接触孔图形刻蚀剩余第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层，形成接触孔开口图形，使器件密集区、器件非密集区和切割区的接触孔开口图形内残留第一刻蚀阻挡层的厚度接近一致；沿接触孔开口图形刻蚀去除第一刻蚀阻挡层，形成接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910199989.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
