[发明专利]硅基液晶器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910199230.4 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102074505A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄河;李海艇;任自如;韩轶男 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/60;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/485;H01L23/528;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基液晶器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成元件层，所述元件层形成有多个MOS器件；在所述元件层上形成层间介质层，所述层间介质层中形成有与MOS器件的栅极电连接的第一互联结构，与MOS器件漏极电连接的第二互联结构；图形化所述层间介质层，在层间介质层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出第一互联结构，所述第二开口暴露出第二互联结构；向所述第一开口和第二开口中填充导电材料，分别形成焊垫插塞和像素电极插塞；在所述焊垫插塞上形成焊垫，在所述像素电极插塞上形成像素电极。所述制造硅基液晶器件的方法简化了制作流程。由所述方法制造的硅基液晶器件具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造硅基液晶器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成元件层，所述元件层形成有多个MOS器件；在所述元件层上形成层间介质层，所述层间介质层中形成有与MOS器件的栅极电连接的第一互联结构，与MOS器件漏极电连接的第二互联结构；图形化所述层间介质层，在层间介质层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出第一互联结构，所述第二开口暴露出第二互联结构；向所述第一开口和第二开口中填充导电材料，分别形成焊垫插塞和像素电极插塞；在所述焊垫插塞上形成焊垫，在所述像素电极插塞上形成像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
