[发明专利]一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910198408.3 申请日: 2009-11-06
公开(公告)号: CN102049052A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 陈风;步文博;施剑林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: A61K49/08 分类号: A61K49/08;A61K49/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法。与已有合成方法相比,本发明(1)通过有效控制SPION的单分散性,获得高产率的单一内核担载SPION @ SiO2纳米核壳结构;(2)采用微量注射泵精确控制TEOS的引入速度,不仅有效地避免了SiO2的均相形核和颗粒间的团聚问题,而且提高了制备方法的可重复性。所制备的单分散功能复合纳米核壳结构在核磁共振成像和未来的医药诊治领域将具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 分散 均一 单核 氧化 包裹 疏水 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法,其特征在于:保证超顺磁性纳米颗粒浓度足够高的前提下,通过精确控制正硅酸四乙酯(TEOS)的引入速度,可以有效地抑制体系中二氧化硅(SiO2)的均相形核,并显著降低体系颗粒间的团聚。SPION @ SiO2功能复合核壳结构尺度可以有效地控制在50nm以下,实验结果具有较高的可重复性。
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