[发明专利]互补型金属氧化物半导体结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种CMOS结构的形成方法：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在所述区域的表面依次沉积具有张应力的氮化硅层和HMO；对显露出的第一区域上的HMO进行刻蚀；以剩余的HMO为掩膜，对具有张应力的氮化硅层进行去除，显露出第一区域；在所述第一区域和剩余的HMO表面沉积具有压应力的氮化硅层；对显露出的第二区域上的具有压应力的氮化硅层进行刻蚀，至显露出剩余HMO，将所述剩余HMO去除。采用该方法形成CMOS结构，能够有效解除HMO沉积过程中在栅极与栅极之间的位置上的void问题。

主权项

一种互补型金属氧化物半导体CMOS结构的形成方法，所述CMOS结构包括PMOS结构和NMOS结构，该方法包括：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在所述区域的表面依次沉积具有张应力tensile stress的氮化硅层和硬掩膜氧化层HMO；在HMO的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化该光阻胶层，使得图案化的光阻胶层的开口显露出第一区域上的HMO，同时覆盖第二区域上的HMO；以图案化的光阻胶层为掩膜，对显露出的第一区域上的HMO进行刻蚀，去除该图案化的光阻胶层；以剩余的HMO为掩膜，对具有tensile stress的氮化硅层进行去除，显露出第一区域；在所述第一区域和剩余的HMO表面沉积具有压应力compressive stress的氮化硅层；在所述具有compressive stress的氮化硅层表面涂布第二光阻胶层，曝光显影图案化该第二光阻胶层，使得图案化的第二光阻胶层的开口显露出第二区域上的具有compressive stress的氮化硅层，同时覆盖第一区域上的具有compressive stress的氮化硅层；以图案化的第二光阻胶层为掩膜，对显露出的第二区域上的具有compressive stress的氮化硅层进行刻蚀，至显露出剩余HMO，继续刻蚀将所述剩余HMO去除。