[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法无效

专利信息
申请号: 200910197292.1 申请日: 2009-10-16
公开(公告)号: CN101710579A 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 谭莉;吴宾宾 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;G03F7/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 白璧华
地址: 200233 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,该制造方法先形成像素电极和栅极,然后利用不同光刻胶层高度形成栅极绝缘层和半导体沟道,最后通过剥离方法形成钝化层薄膜,由于像素电极不需要贯穿钝化层薄膜和漏极想连,因而减少了一道光罩工序,简化制造过程,降低成本,提高产量。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括:提供基板;形成透明导电层、第一金属层和第一光刻胶层于该基板上,利用第一道光刻形成像素电极、栅极和栅极焊盘,暴露该像素电极;继续形成栅极绝缘层、半导体层和第二光刻胶层于该基板上,以覆盖该栅极,利用第二道光刻形成半导体沟道,暴露该像素电极;继续形成第三金属层和第三光刻胶层于该基板上,利用第三道光刻形成漏极、源极和数据线,该漏极和该像素电极相接触,该源极和该数据线相接触,其中该栅极、该漏极、该半导体沟道、该源极构成薄膜晶体管;形成钝化层薄膜于该像素电极、该薄膜晶体管上。
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