[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法无效
申请号: | 200910197292.1 | 申请日: | 2009-10-16 |
公开(公告)号: | CN101710579A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 谭莉;吴宾宾 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;G03F7/00 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,该制造方法先形成像素电极和栅极,然后利用不同光刻胶层高度形成栅极绝缘层和半导体沟道,最后通过剥离方法形成钝化层薄膜,由于像素电极不需要贯穿钝化层薄膜和漏极想连,因而减少了一道光罩工序,简化制造过程,降低成本,提高产量。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括:提供基板;形成透明导电层、第一金属层和第一光刻胶层于该基板上,利用第一道光刻形成像素电极、栅极和栅极焊盘,暴露该像素电极;继续形成栅极绝缘层、半导体层和第二光刻胶层于该基板上,以覆盖该栅极,利用第二道光刻形成半导体沟道,暴露该像素电极;继续形成第三金属层和第三光刻胶层于该基板上,利用第三道光刻形成漏极、源极和数据线,该漏极和该像素电极相接触,该源极和该数据线相接触,其中该栅极、该漏极、该半导体沟道、该源极构成薄膜晶体管;形成钝化层薄膜于该像素电极、该薄膜晶体管上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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