[发明专利]一种在单晶硅片表面制备Co3O4复合薄膜的方法

摘要

一种在单晶硅片表面制备Co3O4复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装法制备磺酸基硅烷，然后将基片放入Co3O4分散夜中，在其表面制备Co3O4复合薄膜。先将基片浸泡在王水中加热5～6小时，取出用去离子水清洗，置入羟基化溶液，室温处理1小时，清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于硝酸中，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将基片置入Co3O4的悬浮液，在20～60℃静置2～24小时取出，冲洗后用氮气吹干，这样就得到表面沉积有Co3O4的复合薄膜。本发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1，具有十分明显的减摩作用。

主权项

一种在单晶硅片表面制备Co3O4复合薄膜的方法，其特征在于按照如下步骤进行：A)、首先对单晶硅片进行预处理：将单晶硅片浸泡在王水中，使用电炉加热王水，加热时间为5～6个小时，在室温中自然冷却，将单晶硅片取出，用去离子水反复冲洗，放入干燥皿中干燥，干燥后浸于Pirahan溶液中，其中H2SO4与H2O2的体积比为H2SO4∶H2O2＝70∶30，于室温下处理1小时，用去离子水超声清洗后放在防尘装置内在烘箱中干燥，然后将处理后的单晶硅片浸入配制好的巯基硅烷浓度为0.1～1.0mmol/L的苯溶液中，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干，置于质量浓度为30％～60％的硝酸中，在50～80℃下反应2小时，取出用去离子水冲洗，这样就将端巯基原位氧化成磺酸基，得到表面附有磺酸基硅烷薄膜的单晶硅片；B)、制备Co3O4分散液：先将Co3O4在室温下按0.1～0.2mg/ml放入N，N-二甲基甲酰胺分散剂，选取超声波功率为40W超声分散1～3小时，得到稳定的Co3O4悬浮液；C)、将表面组装有磺酸基硅烷薄膜的单晶硅片浸入制备好的Co3O4悬浮液中，在20～60℃静置2～24小时，取出用大量去离子水冲洗，冲洗后用氮气吹干，这样就得到表面沉积有Co3O4复合薄膜的单晶硅片。