[发明专利]垂直双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910197113.4 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101692424A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L29/732;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种垂直双极晶体管及其制造方法，该垂直双极晶体管包括一由CMOS晶体管的阱形成的集电极区域、一通过利用高压晶体管的高压轻掺杂漏极来形成的基极区域以及一于该基极区域表面由该CMOS晶体管源漏形成的发射极区域，本发明完全利用现有的CMOS工艺，不增加额外的工艺步骤，并且使用高压晶体管的高压LDD形成基极，由于高压LDD与阱形成的PN结的结深比源漏与LDD形成的PN结的结深略深，所以形成的垂直双极晶体管的基极具有非常薄的厚度，从而提高了双极晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片表面形成一由CMOS晶体管的阱形成的集电极区域；进行高压轻掺杂漏极离子注入以于该集电极区域表面形成由轻掺杂漏极结构形成的基极区域；以及进行源漏离子注入，以在该基极区域上形成该垂直双极晶体管的发射极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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