[发明专利]铜互连线的形成方法及电镀装置有效
| 申请号： | 200910196936.5 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102044427A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 卢炯平;聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L23/52;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜互连线的形成方法及电镀装置，所述电镀装置包括酸性反应池和电镀反应池。所述铜互连线的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有介质层，所述介质层中有开口；在所述介质层上和开口内依次形成阻挡层和铜籽晶层；在所述铜晶种上形成保护层；将所述半导体基底浸入电镀装置中的酸性反应池内，去除所述保护层；在酸性反应池中去除所述保护层；将所述半导体基底转移至电镀装置中的电镀反应池中，在所述开口内填充金属铜。本发明避免了铜籽晶层与空气接触形成氧化铜颗粒，防止了在电镀过程中氧化铜颗粒溶解造成的电镀缺陷，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 形成 方法 电镀 装置 | ||
【主权项】：
一种电镀装置，其特征在于，所述电镀装置包括酸性反应池和电镀反应池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
