[发明专利]金属互连层的制作方法有效
| 申请号： | 200910196548.7 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102034737A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属互连层的形成方法，包括：在硅片表面沉积绝缘层；利用光刻工艺在硅片表面形成待刻蚀的图形；去除硅片边缘区域的光刻胶；在剩余光刻胶的保护下刻蚀沟槽，并在刻蚀完成后，去除剩余的光刻胶；采用电化学镀工艺在刻蚀出的沟槽内壁以及硅片表面形成铜电镀层；对硅片边缘区域进行清洗；采用化学机械研磨工艺将硅片研磨至绝缘层表面。应用本发明所述的方法，能够避免绝缘层发生剥落或产生颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种形成金属互连层的方法，该方法包括：在硅片表面沉积绝缘层；利用光刻工艺在硅片表面形成待刻蚀的图形；去除硅片边缘区域的光刻胶；在剩余光刻胶的保护下刻蚀沟槽，并在刻蚀完成后，去除剩余的光刻胶；采用电化学镀工艺在刻蚀出的沟槽内壁以及硅片表面形成铜电镀层；对硅片边缘区域进行清洗；采用化学机械研磨工艺将硅片研磨至绝缘层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
