[发明专利]一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构无效
| 申请号： | 200910196299.1 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101673772A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;陈玮;张敏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆 飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电容器技术领域，具体为一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构。本发明依次采用高温干氧热氧化的SiO2薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的HfO2/Al2O3/HfO2三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Al2O3薄膜做电荷阻挡层；衬底采用P型单晶硅；金属电极采用磁控溅射反应制备的HfN/TaN双层金属薄膜，其中HfN与电荷阻挡层Al2O3直接接触。本发明在擦写模式下均能有效遏制通过阻挡层的电子注入，显著提高电容的存储特性，使得电容具有快速的编程/擦除特性，大存储窗口和高电容密度，同时不存在擦除饱和现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦写 金属 绝缘体 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构，其特征在于依次采用高温干氧热氧化的SiO2薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的HfO2/Al2O3/HfO2三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Al2O3薄膜做电荷阻挡层；衬底采用P型单晶硅；金属电极采用磁控溅射反应制备的HfN/TaN双层金属薄膜，其中HfN与电荷阻挡层Al2O3直接接触。
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