[发明专利]使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法有效
| 申请号： | 200910196237.0 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101673755A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李宜瑾;凌云;宋志棠;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L29/861;H01L29/06;H01L21/82;H01L21/329;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性的半导体材料组成，通过离子注入、固相外延或者化学气相沉积的方法制备。该方法制备的复合结构的二极管有产生的干扰电流小、驱动电流大的特点，同时本发明的结构适用于高密度的相变存储器，采用CMOS工艺，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 复合 结构 二极管 相变 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元，具有相互平行的字线和相互平行的位线，该单元包括：含有相变材料的存储单元和选通管，其特征在于：所述选通管为复合结构二极管，其具有P+/N+/N-/N+的复合结构；该复合结构二极管的一端与字线相连，另一端与存储单元的下电极相连，存储单元的上电极与位线相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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