[发明专利]一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910195700.X | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101661808A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;万冬云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01B1/00 | 分类号： | H01B1/00;H01B13/00;H01B5/14;C23C14/35;C23C14/06;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于宽禁带导电半导体材料制备领域，具体涉及一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法。本发明的多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料由掺杂物源和锌源经混合、烘干、研磨、预烧、压模成型及烧结制得。本发明获得的高性能氧化锌基宽禁带导电材料制备工艺简单，成本低廉，具有很高的透明导电性能以及在高温潮湿环境下较高的稳定性能，可以作为高性能透明导电氧化锌薄膜制备的靶材，在太阳能电池和光电器件领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锌 基宽禁带 导电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料，该多掺杂氧化锌基宽禁导电材料由含有掺杂元素的原料和含有锌元素的原料经烧结制得。
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