[发明专利]一种肖特基二极管结构无效
| 申请号： | 200910195418.1 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101667600A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管结构，属于半导体技术领域。本发明提供的肖特基二极管结构包括半导体衬底、轻掺杂阱区、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极引出层，金属硅化物与半导体轻掺杂阱区接触形成肖特基结，并通过扩散阻挡层和金属电极引出层与外部电极来接。该发明提供的肖特基二极管结构与传统的金属材料与半导体直接接触的肖特基二极管相比，克服了金属材料氧化对肖特基结特性的影响，实现了低功耗的技术指标，具有优良的正向和反向特性，提高了肖特基二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管结构，包括半导体衬底、轻掺杂阱区、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极引出层，其特征在于：所述轻掺杂阱区位于半导体衬底中，所述金属硅化物与轻掺杂阱区直接接触形成肖特基结，所述扩散阻挡层和金属电极引出层依次覆盖在金属硅化物表面。
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