[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910195218.6 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102013393A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 朱瑜杰;陈宏璘;孙强;阎海滨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底中具有STI；在具有STI的半导体基底上形成第一多晶硅栅极；在STI和第一多晶硅栅极上依次形成氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构；在所述氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构上形成多晶硅层；对所述多晶硅层刻蚀，去除所述第一多晶硅栅极对应位置以外的多晶硅层，即在所述第一多晶硅栅极对应位置上形成第二多晶硅栅极；对所述氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构进行刻蚀，去除未被第二多晶硅栅极覆盖的氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构，该刻蚀对氮化物与氧化物的刻蚀选择比大于1；清洗去除所述叠层结构的残余物。本发明可以减少半导体结构表面的氮化物残余。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底中具有STI；在具有STI的半导体基底上形成第一多晶硅栅极；在STI和第一多晶硅栅极上依次形成氧化物‑氮化物‑氧化物的叠层结构；在所述氧化物‑氮化物‑氧化物的叠层结构上形成多晶硅层；对所述多晶硅层刻蚀，去除所述第一多晶硅栅极对应位置以外的多晶硅层，即在所述第一多晶硅栅极对应位置上形成第二多晶硅栅极；对所述氧化物‑氮化物‑氧化物的叠层结构进行刻蚀，去除未被第二多晶硅栅极覆盖的氧化物‑氮化物‑氧化物的叠层结构，该刻蚀对氮化物与氧化物的刻蚀选择比大于1；清洗去除所述叠层结构的残余物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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