[发明专利]N型金属氧化物半导体源漏注入方法有效
| 申请号： | 200910195017.6 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102005388A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了N型金属氧化物半导体源漏注入方法。包括：在硅片的半导体衬底的N阱上方形成NMOS的栅极结构；在NMOS栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏LDD注入；形成NMOS的栅极结构的侧墙；在NMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行NMOS源漏区的光刻和离子注入，离子注入的顺序是：锗Ge、磷P、砷As、P。本发明提高了NMOS的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种N型金属氧化物半导体NMOS源漏注入方法，该方法包括：在硅片的半导体衬底的N阱上方形成NMOS的栅极结构；在NMOS栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏LDD注入；形成NMOS的栅极结构的侧墙；在NMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行NMOS源漏区的光刻和离子注入，离子注入的顺序是：锗Ge、磷P、砷As、P。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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