[发明专利]减少侧墙隔离工艺中的微粒缺陷的方法无效
| 申请号： | 200910194953.5 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102005386A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;郭海波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少侧墙隔离工艺中的微粒缺陷的方法，该方法包括：利用酸槽去除半导体晶圆的栅极周围的聚合物保护膜；利用氢氟酸溶液清洗所述半导体晶圆的背面；和在背面清洗后的半导体晶圆上形成侧墙间隔层。利用本发明的方法可以去除在前道酸槽中形成的聚合物碎片，避免在后道侧墙工艺中形成微粒缺陷，减小了由于微粒缺陷而对源、漏区的形成造成的影响，同时也避免了由于这种微粒而造成的对后续接触刻蚀的影响以及微粒对半导体器件电学性能的影响，最终提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 隔离工艺 中的 微粒 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少侧墙隔离工艺中的微粒缺陷的方法，该方法包括：利用酸槽去除半导体晶圆的栅极周围的聚合物保护膜；利用氢氟酸溶液清洗所述半导体晶圆的背面；和在背面清洗后的半导体晶圆上形成侧墙间隔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
