[发明专利]制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910194917.9 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102005372A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 高大为;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区的半导体衬底，所述表面区具有一种或者多种污染物，所述表面区上方具有上方氧化物层；有选择地去除所述上方氧化物层，并且暴露包括所述一种或者多种污染物的所述表面区；对所述表面区进行激光处理工艺，以去除所述表面区上的所述一种或者多种污染物；并且去除所述激光处理工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区的半导体衬底，所述表面区具有一种或者多种污染物，所述表面区上方具有上方氧化物层；有选择地去除所述上方氧化物层，并且暴露包括所述一种或者多种污染物的所述表面区；对所述表面区进行激光处理工艺，以去除所述表面区上的所述一种或者多种污染物；并且去除所述激光处理工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
