[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910189692.8 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102005472A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;唐盛斌;冯卫;陈宇;吴海平;刘林 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/768;H01L21/28;H01L27/082 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：形成于半导体衬底上的半导体层；形成于所述半导体层上的阱区；所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区，底面有扩散深阱，并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。本发明中，将形成于半导体层上的阱区中部掏空，在其中填充一与半导体层表面平齐的电极接触层，而电极接触层侧面有横向扩散的源区，源区尺寸完全由其横向扩散的宽度决定，即器件的源区的横向尺寸可以达到最小，减小位于P-阱中源区下寄生的横向电阻，阻止寄生的NPN管工作在放大状态，从而抑制器件的闩锁效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：形成于半导体衬底上的半导体层；形成于所述半导体层上的阱区；所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区，底面有扩散深阱，并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。
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