[发明专利]用于生化检测的微薄膜电容式表面应力传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200910184025.0 申请日: 2009-08-11
公开(公告)号: CN101661012A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 黄钦文;苏岩 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 代理人: 朱显国
地址: 210094*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于生化检测的微薄膜电容式表面应力传感器及其制作方法。该传感器包括电容结构上电极、电容结构下电极、硅衬底、电容结构上电极与硅衬底之间的绝缘层、电容结构上电极与外部电路的电连接点、生化敏感面、支撑敏感面和电容结构下电极的支撑层。利用本发明,实现传感器生化敏感面与电容上下电极的物理隔离,可以消除传感器电容上下电极之间的介质的介电常数的变化对测量结果的影响;应用于液体环境下,可以消除了电解液环境所引起的电容上下电极之间的寄生电流。
搜索关键词: 用于 生化 检测 微薄 电容 表面 应力 传感器 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种微薄膜电容式表面应力传感器,其特征在于该传感器包括电容结构上电极[1]、电容结构下电极[2]、硅衬底[7]、绝缘层[3]、电连接点[4]、生化敏感面[6]、支撑面[5]、凹槽的第一方形面[8]以及方形口[12],左、右绝缘层[3a,3b]分别位于电容结构上电极[1]与硅衬底[7]之间,第一、第二电连接点[4a,4b]分别位于电容结构上电极[1]的左右两个锚点处,支撑层[5]的边缘与硅衬底[7]连接,电容结构的下电极[2]位于支撑层[5]的上表面,生化敏感面[6]位于支撑层[5]的下表面,通过支撑层[5]在生化敏感面[6]与电容结构下电极[2]之间实现物理隔离,生化敏感面[6]下方的正陵台形状的凹槽中,面积大的面为第一方形面[8],面积小的面为方形口[12]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910184025.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top