[发明专利]用于生化检测的微薄膜电容式表面应力传感器及其制作方法有效
申请号: | 200910184025.0 | 申请日: | 2009-08-11 |
公开(公告)号: | CN101661012A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 黄钦文;苏岩 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于生化检测的微薄膜电容式表面应力传感器及其制作方法。该传感器包括电容结构上电极、电容结构下电极、硅衬底、电容结构上电极与硅衬底之间的绝缘层、电容结构上电极与外部电路的电连接点、生化敏感面、支撑敏感面和电容结构下电极的支撑层。利用本发明,实现传感器生化敏感面与电容上下电极的物理隔离,可以消除传感器电容上下电极之间的介质的介电常数的变化对测量结果的影响;应用于液体环境下,可以消除了电解液环境所引起的电容上下电极之间的寄生电流。 | ||
搜索关键词: | 用于 生化 检测 微薄 电容 表面 应力 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种微薄膜电容式表面应力传感器,其特征在于该传感器包括电容结构上电极[1]、电容结构下电极[2]、硅衬底[7]、绝缘层[3]、电连接点[4]、生化敏感面[6]、支撑面[5]、凹槽的第一方形面[8]以及方形口[12],左、右绝缘层[3a,3b]分别位于电容结构上电极[1]与硅衬底[7]之间,第一、第二电连接点[4a,4b]分别位于电容结构上电极[1]的左右两个锚点处,支撑层[5]的边缘与硅衬底[7]连接,电容结构的下电极[2]位于支撑层[5]的上表面,生化敏感面[6]位于支撑层[5]的下表面,通过支撑层[5]在生化敏感面[6]与电容结构下电极[2]之间实现物理隔离,生化敏感面[6]下方的正陵台形状的凹槽中,面积大的面为第一方形面[8],面积小的面为方形口[12]。
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