[发明专利]纳米压印光刻中精密表面改性方法和设备无效
| 申请号： | 200910179464.2 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101916037A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 许仁;C·T·彼得森;C·刘 | 申请（专利权）人： | 因特瓦克公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王琼先;王永建 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种可规模化的高生产量的纳米压印光刻涂底设备，包括：双反应物化学气相沉积反应器腔室，被构造成以硬盘半径来保持多个硬盘的芯轴，以及将多个硬盘转移到所述腔室中以及从所述腔室中转移出的传输机构。所述设备也可以包括转移工具，以将所述多个硬盘移至额外的腔室进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 压印 光刻 精密 表面 改性 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种纳米压印光刻涂底设备，包括：双反应物化学气相沉积反应器腔室；芯轴，其被构造成在硬盘的内径处保持多个硬盘；以及用于将所述多个硬盘移动至所述腔室中的传输机构。
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