[发明专利]半导体粒子的制造方法无效
| 申请号： | 200910179170.X | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101714590A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 室园干男;大岛洋司;中村俊之;明石义弘 | 申请（专利权）人： | 珂琳21风险投资株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B81C5/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体粒子的制造方法，其包括以下工序：对含有半导体粉末的原料实施造粒操作，从而制造规定质量的细粒的工序；将所述细粒加热以使所述细粒内的半导体粉末熔融，并使熔融的各粉末熔合，由此形成球状的熔融体的工序；以及将所述球状的熔融体冷却以使其凝固，由此制造球状的半导体粒子的工序。所述细粒优选含有将半导体粉末相互间结合的粘结剂。当细粒含有粘结剂时，优选在为熔融半导体粉末而进行的加热之前，进行预加热以从细粒中除去粘结剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 粒子 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体粒子的制造方法，其包括以下工序：(i)对含有半导体粉末的原料实施造粒操作，从而制造规定质量的细粒的工序；(ii)将所述细粒加热以使所述细粒内的半导体粉末熔融，并使熔融的各粉末熔合，由此形成球状的熔融体的工序；以及(iii)将所述球状的熔融体冷却以使其凝固，由此制造球状的半导体粒子的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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