[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号: | 200910179133.9 | 申请日: | 2009-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN101714523A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
| 发明(设计)人: | 任劲赫 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/265;H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种图像传感器和制造图像传感器的方法。图像传感器可包括第一像素。第一像素可包括第一光电二极管和第一读出电路。图像传感器可包括第二像素。第二像素可包括第二光电二极管和第二读出电路,所述第二像素可设置在第一像素的一侧。图像传感器可包括与第二驱动晶体管的阈值电压不同的第一驱动晶体管的阈值电压。制造图像传感器的方法可包括形成具有第一光电二极管和第一读出电路的第一像素,还可包括形成具有第二光电二极管和第二读出电路的第二像素,其中第一驱动晶体管的阈值电压与第二驱动晶体管的阈值电压不同。根据本发明的实施例,图像传感器的相对图像质量可得到最优化。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括如下步骤:形成第一像素,其中所述第一像素包括第一光电二极管和含有第一驱动晶体管的第一读出电路;以及形成第二像素,其中所述第二像素包括第二光电二极管和含有第二驱动晶体管的第二读出电路,其中所述第一驱动晶体管的阈值电压与所述第二驱动晶体管的阈值电压不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司,未经东部高科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910179133.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:椎体手术辅助器
- 下一篇:高不饱和脂肪酸沙棘优良杂种的选育方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





