[发明专利]兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，包含在硅基底上方的绝缘层内形成半导体元件及微机电结构。微机电结构包含彼此独立的微结构、兼容连接件与金属电路，兼容连接件电性连接半导体元件与微机电结构。前述硅基底通过第一次蚀刻产生的切割空间，以及第二次蚀刻产生与切割空间相通的悬浮空间，借以使微机电结构悬浮，并利用绝缘层内的兼容连接件达成微机电结构与半导体元件的电性连接。借此有效结合微机电结构与半导体元件，且避免微机电结构不当侵蚀及曝露。同时，也揭露一种以上述制造方法形成的一种兼容半导体元件的微型悬浮结构。

主权项

一种兼容半导体元件的微型悬浮结构，其特征在于，包含：一硅基底，下方具有一切割空间及一悬浮空间，该切割空间位于该悬浮空间内壁，且该悬浮空间与该切割空间相通；以及一绝缘层，设置在该硅基底上，该绝缘层内具有一微结构，一半导体元件，以及一兼容连接件电性连接在该半导体元件与该微结构之间，其中，该硅基底的该切割空间到达该绝缘层底面，且该切割空间相对应位于该微结构与该半导体元件之间，使该微结构下方与该半导体元件下方的硅基底被分隔而绝缘，而该微结构则利用该硅基底的悬浮空间达成悬浮。