[发明专利]量子干涉晶体管及其制造和操作方法有效
| 申请号： | 200910177796.7 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101719510A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 申在光;徐顺爱;金钟燮;洪起夏;郑现钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 干涉 晶体管 及其 制造 操作方法 | ||
【主权项】：
一种量子干涉晶体管，包括：源极；漏极；石墨烯片，包括N个沟道，N个沟道位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差，其中，N≥2；至少一个栅极，位于N个沟道中的一个或一个以上的沟道处。
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