[发明专利]AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 200910176048.7 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101714574A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈敬;王茂俊 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中产生增强背势垒以提高器件击穿和阻挡特性的结构、器件和方法。在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。利用在2DEG沟道下面的非故意掺杂GaN缓冲层中形成较高的能量势垒，可以有利地提高关态击穿电压和增强阻断性能，而同时又能实现方便的和成本有效的外延生长后的制备工序。同时所提供的进一步的非限制性实施例描绘了本发明提出的结构的优点和适应性。 | ||
| 搜索关键词： | algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，HEMT具有设计的源极位置，栅极位置和漏极位置，包括：衬底；在衬底上布置的GaN缓冲层；在缓冲层上布置的含AlGaN的势垒层以及势垒层和缓冲层界面上的异质结；以及布置在缓冲层中的利用氟离子注入形成的跨越异质结的一部分的增强背势垒(EBB)区域。
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