[发明专利]半导体装置及其制造方法和操作方法有效
| 申请号： | 200910175709.4 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101714576A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 洪承焄;明圣;任智芸;李敏百 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/8247;G11C11/40;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：沟道层，包括多个第一纳米结构；源电极和漏电极，接触沟道层的两端；第一隧道绝缘层，形成在沟道层上；第一电荷捕获层，形成在第一隧道绝缘层上，并包括与所述多个第一纳米结构不同的多个第二纳米结构；第一阻挡绝缘层，形成在第一电荷捕获层上；第一控制栅极，形成在第一阻挡绝缘层上。
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