[发明专利]金氧半场效晶体管布局结构及方法有效
| 申请号： | 200910174517.1 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034821A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 彭国伟;刘中唯;周倩华 | 申请（专利权）人： | 登丰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金氧半场效晶体管布局结构及方法，包含复数个金氧半场效晶体管单元、一源极金属结构及一漏极金属结构。源极金属结构电性连接至复数个金氧半场效晶体管单元的源极，于一预定轴方向源极金属结构的宽度逐渐变窄。漏极金属结构，电性连接至复数个金氧半场效晶体管单元的漏极，于预定轴方向漏极金属结构的宽度逐渐变宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半场 晶体管 布局 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种金氧半场效晶体管布局结构，包含：复数个金氧半场效晶体管单元；一第一源极金属结构，电性连接至该复数个金氧半场效晶体管单元的源极，于一预定轴方向该第一源极金属结构的宽度逐渐变窄；以及一第一漏极金属结构，电性连接至该复数个金氧半场效晶体管单元的漏极，于该预定轴方向该第一漏极金属结构的宽度逐渐变宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
