[发明专利]一种像素结构有效
申请号: | 200910171161.6 | 申请日: | 2007-05-15 |
公开(公告)号: | CN101655626A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 简耀黉;王智杰;陈司芬;郑戎杰;陈丽珊 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素结构,包括一基底、一隔离层、一保护层、一像素电极、一共用电压连接线及一选择线。隔离层形成于基底之上,隔离层之上为一保护层,像素电极在保护层之上。共用电压连接线位于基底与隔离层之间,而选择线也在基底与隔离层之间。共用电压连接线与像素电极形成一储存电容,选择线与像素电极形成一耦合电容。本发明的像素结构,因为液晶电容从耦合电容得到一个脉冲信号,使得像素跨压的均方根高于临界电压,使白态电压可以更接近临界电压,因此提升了液晶在白画面时的光穿透度。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括:一基底;一隔离层,形成于该基底之上;一保护层,形成于该隔离层之上;一像素电极,形成于该保护层之上;一共用电压连接线,形成于该基底与该隔离层之间;以及一选择线,形成于该基底与该隔离层之间;其中,该共用电压连接线与该像素电极形成一储存电容,该选择线与该像素电极形成一耦合电容。
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