[发明专利]过电流检测电路无效
申请号: | 200910170512.1 | 申请日: | 2009-09-04 |
公开(公告)号: | CN101672867A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 中岛荣 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种过电流检测电路。根据本发明的示例性方面的过电流检测电路包括检测晶体管、电势差设置单元、以及第一晶体管,通过电势差设置单元控制其电流值。此外,电势差设置单元包括第一耗尽型晶体管,电源电压被施加于第一耗尽型晶体管的漏极,并且第一耗尽型晶体管的栅极和源极被连接至第一晶体管的栅极;第二晶体管,第二晶体管的漏极和栅极被连接至第一晶体管的栅极;以及第二耗尽型晶体管,其被提供在第一晶体管和第二晶体管的源极之间的电流路径上,第二耗尽型晶体管的栅极和漏极被连接至检测晶体管的源极。 | ||
搜索关键词: | 电流 检测 电路 | ||
【主权项】:
1.一种过电流检测电路,包括:检测晶体管,根据施加于输出晶体管的栅极端子的控制电压控制所述检测晶体管的电流值,所述输出晶体管被构造为控制到负载的电源供给;电势差设置单元,根据所述检测晶体管的电流值对所述电势差设置单元控制输出电压的电势差;以及第一晶体管,根据所述第一晶体管的栅极和源极端子之间的电势差控制所述第一晶体管的电流值,由所述电势差设置单元控制所述栅极和源极端子之间的电势差,其中所述过电流检测电路基于所述第一晶体管的电流值检测过电流,并且所述电势差设置单元包括:第一耗尽型晶体管,供给电压被施加于所述第一耗尽型晶体管的漏极端子,并且所述第一耗尽型晶体管的栅极和源极端子被连接至所述第一晶体管的栅极端子;第二晶体管,所述第二晶体管的漏极和栅极端子被连接至所述第一耗尽型晶体管的栅极和源极端子与所述第一晶体管的栅极端子之间的结点;以及第二耗尽型晶体管,所述第二耗尽型晶体管被提供在所述第一晶体管的源极端子和所述第二晶体管的源极端子之间的电流路径上,所述第二耗尽型晶体管的栅极和漏极端子被连接至所述检测晶体管的源极端子,并且所述第二耗尽型晶体管的源极端子被连接至到所述负载的输出端子。
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