[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910170507.0 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101667596A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李达元;黄建豪;陈启群;林纲正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括一半导体基底与形成于半导体基底上的一晶体管。此晶体管具有一栅极结构，包括：一界面层，位于半导体基底上；一高介电常数介电层，位于界面层上；一盖层，位于高介电常数介电层上；以及一多晶硅层，位于盖层上。上述盖层包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或前述的组合。本发明可改善临界电压与载流子移动率，可形成高介电常数栅极介电层，使用的材料更适合整合在现有的CMOS工艺，并可以避免高介电常数金属栅极技术的各种问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一半导体基底；一晶体管，形成于该半导体基底上，该晶体管具有一栅极结构，包括：一界面层，位于该半导体基底上；一高介电常数介电层，位于该界面层上；一盖层，位于该高介电常数介电层上，其中该盖层包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或前述的组合；以及一多晶硅层，位于该盖层上。
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