[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号: | 200910169151.9 | 申请日: | 2009-09-11 | 
| 公开(公告)号: | CN101673748A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 | 
| 发明(设计)人: | 金兑圭 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/528;H01L21/822;H01L21/768 | 
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张浴月;张志杰 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括:金属线和层间绝缘层,位于包括读出电路的半导体衬底上;图像检测单元,位于该层间绝缘层上并包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层;像素分隔单元,穿透该图像检测单元,并根据像素分隔所述图像检测单元;第一金属接触件,穿入所述图像检测单元以及所述层间绝缘层,以接触所述金属线;第一阻挡图案,保护所述第一金属接触件使其不与所述第二掺杂层接触,并向所述第一掺杂层暴露所述第一金属接触件;以及第二金属接触件,位于所述第一金属接触件上方的沟槽中,其中该第二金属接触件电连接至所述第二掺杂层,并通过第二阻挡图案与所述第一金属接触件隔离。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
                1.一种图像传感器,包括:金属线和层间绝缘层,形成在包括读出电路的半导体衬底上;图像检测单元,位于所述层间绝缘层上并包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层;像素分隔单元,穿透所述图像检测单元,以根据每个像素将所述图像检测单元分隔开;第一金属接触件,穿入所述图像检测单元以及所述层间绝缘层,所述第一金属接触件电连接至所述金属线;第一阻挡图案,位于所述第一金属接触件的上部侧壁,以将所述第一金属接触件与所述第二掺杂层隔离,且将所述第一金属接触件暴露于所述第一掺杂层;第二阻挡图案,位于所述第一金属接触件上;以及第二金属接触件,形成在所述第一金属接触件上方的沟槽中以电连接至所述第二掺杂层,且通过该第二阻挡图案与所述第一金属接触件隔离。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





