[发明专利]淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备有效
| 申请号： | 200910169010.7 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101643896A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 桑贾伊·D·亚达夫;上泉元;温德尔·T·布伦尼克 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/40;H01L21/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用来以至少每分钟3000埃()的速率将一电介质淀积到一至少约0.35平方米的大面积基板上的方法及设备。在一实施例中，该电介质为氧化硅。也提供一种大面积基板，其具有一层电介质被淀积于其上，该电介质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的淀积速率来进行淀积，也提供一种制造该大面积基板的处理腔。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 大面积 基板上 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种气化器模块，其至少包括：一液体流量控制器；一温度控制器，其与所述流量控制器合作用以将所述流量控制器保持在一预定的温度；及一气化器，其具有一与所述流量控制器相连接的入口及一出口其被设计来将一气态的前体流至一半导体反应腔内。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
