[发明专利]半导体发光元件以及凸起部分

摘要

本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的<110>方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于<110>方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ_U的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ_D(其中θ_D≠θ_U)的等腰梯形。

主权项

1、一种在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于该衬板的<110>方向延伸的凸起部分的凸起部分形成方法，该方法包括如下步骤：(a)在该衬板上形成平行于<110>方向延伸的掩模层；(b)采用该掩模层作为蚀刻掩模，根据采用蚀刻溶液的湿法蚀刻方法蚀刻该衬板以形成凸起部分上层，使得该凸起部分上层在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θU的等腰梯形；以及(c)在该蚀刻溶液的不同温度根据湿法蚀刻方法并采用该掩模层和该凸起部分上层的侧表面作为蚀刻掩模，进一步蚀刻该衬板以形成凸起部分下层，使得该凸起部分下层在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θD的等腰梯形，其中θD≠θU。