[发明专利]光掩膜版及其光掩膜无效
| 申请号： | 200910164560.X | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101713913A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 松本洋介 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种光掩膜版及光掩膜，所述光掩膜版在基板上具有感光性组合物层，该感光性组合物层含有(A)下述式(I-1)～(I-3)所示的至少一种光学增白剂、(B)聚合引发剂、(C)具有乙烯性不饱和键的化合物、(D)粘合剂聚合物和(E)遮光材料。式(I-1)～(I-3)所示的化合物可以被烷基、芳基、烷氧基取代。 |
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| 搜索关键词： | 光掩膜版 及其 光掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种光掩膜版，其在基板上具有：包含(A)下述式(I-1)～下述式(I-15)所示的至少一种光学增白剂、(B)聚合引发剂、(C)具有乙烯性不饱和键的化合物、(D)粘合剂聚合物和(E)遮光材料的感光性组合物层，![]()
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其中，式(I-1)～式(I-15)所示的化合物可以具有取代基，也可以不具有取代基，式中X表示选自以下所示的结构中的2价连结基，下述结构中的*表示与式(I-6)和式(I-13)中的杂环的结合位置，![]()
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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