[发明专利]高纯度碳材料和被覆有陶瓷膜的高纯度碳材料有效
| 申请号： | 200910163506.3 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101659409A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 藤田一郎;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;C04B35/83;C04B41/65 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 材料 被覆 陶瓷膜 | ||
【主权项】：
1.高纯度碳材料，其为通过SIMS分析法所测定的氧含量为1×1018原子/cm3或以下的石墨材料或碳纤维强化碳复合材料。
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