[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910161498.9 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101645462A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02;H01L21/34;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘 倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有缓冲层的正交错型(顶栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层的载流子浓度高的缓冲层，来形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源电极层和漏电极层；所述源电极层和所述漏电极层上的具有n型导电型的缓冲层；所述缓冲层上的半导体层；所述半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述半导体层和所述缓冲层是氧化物半导体层，所述缓冲层的载流子浓度高于所述半导体层的载流子浓度，并且，所述源电极层和所述漏电极层隔着夹在所述源电极层或所述漏电极层与所述半导体层之间的所述缓冲层分别电连接到所述半导体层。
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