[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910161311.5 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101872745A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 崔雄 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/768;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件及其制造方法降低了在高度集成的半导体器件的存储节点触点与位线之间产生的寄生电容值。该制造半导体器件的方法包括：在晶胞区域的有源区中形成埋入式字线；在晶胞区域形成绝缘层并在外围区域中形成栅极的下电极层，并使绝缘层所在的高度大致等于下电极层所在的高度；以及在晶胞区域和外围区域上设置第一导电层以形成位线层和上电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体存储器件的方法，包括：在晶胞区域的有源区中形成埋入式字线；在所述晶胞区域中形成绝缘层并在外围区域中形成栅极的下电极层，从而使所述绝缘层所在的高度大致等于所述下电极层所在的高度；以及在所述晶胞区域和所述外围区域上设置第一导电层以形成位线层和上电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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