[发明专利]氮化物半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200910159795.X | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101609961A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/028;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪市阿倍野*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件包含在发光部分形成的涂膜，所述涂膜包含氧氮化铝晶体，其中在由氧氮化铝晶体制成的所述涂膜中的氧含量为等于或小于35原子％。
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