[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 200910158476.7 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101651120A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 荣森贵尚;三濑信行 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/283;H01L21/8238;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提高使用高介电率膜的栅绝缘膜的MIS晶体管的晶体管特性。在衬底的主面上形成的氧化硅(SiO2)膜上，形成含有铪和氧的基底绝缘膜。然后，在基底绝缘膜上形成比基底绝缘膜薄、并且只由金属元素构成的金属薄膜，并在该金属薄膜上形成具有耐湿性和耐氧化性的保护膜。然后，在具有保护膜的状态下，通过将金属薄膜的金属元素全部在基底绝缘膜中扩散，在氧化硅膜上形成比氧化硅膜厚且比氧化硅的介电率高的、含有基底绝缘膜的铪和氧以及金属薄膜的金属元素的混合膜(高介电率膜)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有MIS晶体管的半导体器件的制造方法，包括以下工序：(a)在半导体衬底的主面上形成氧化硅膜的工序；(b)在所述氧化硅膜上形成第一铪类氧化膜的工序；(c)在所述第一铪类氧化膜上形成金属膜的工序；(d)通过将构成所述金属膜的金属元素在所述第一铪类氧化膜中扩散，在所述氧化硅膜上形成含有所述金属元素作为化合物的第二铪类氧化膜的工序；(e)在所述工序(d)之后，在所述第二铪类氧化膜上形成与所述金属膜不同的导电性膜的工序；(f)在所述工序(e)之后，通过将所述导电性膜、所述第二铪类氧化膜和所述氧化硅膜按规定形状形成图案，形成含有所述导电性膜的栅电极、和含有所述第二铪类氧化膜以及所述氧化硅膜的栅绝缘膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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