[发明专利]半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 200910158226.3 申请日: 2009-07-22
公开(公告)号: CN101635333A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 川岛纪之;大江贵裕 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/10;H01L51/40;H01L51/05
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备,所述半导体复合膜包括:包含有机半导体材料的半导体薄膜层;由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层;以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括:配制油墨,使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中;利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层;以及通过除去材料层中的溶剂,在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离,并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
搜索关键词: 半导体 复合 及其 形成 方法 薄膜晶体管 制造 电子设备
【主权项】:
1.一种半导体复合膜,其包括:包含有机半导体材料的半导体薄膜层;由在膜厚度方向上与所述有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层;以及分散在所述半导体薄膜层和所述绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910158226.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top