[发明专利]半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备有效
| 申请号: | 200910158226.3 | 申请日: | 2009-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN101635333A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
| 发明(设计)人: | 川岛纪之;大江贵裕 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/10;H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备,所述半导体复合膜包括:包含有机半导体材料的半导体薄膜层;由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层;以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括:配制油墨,使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中;利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层;以及通过除去材料层中的溶剂,在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离,并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 复合 及其 形成 方法 薄膜晶体管 制造 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体复合膜,其包括:包含有机半导体材料的半导体薄膜层;由在膜厚度方向上与所述有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层;以及分散在所述半导体薄膜层和所述绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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