[发明专利]基于阈值取消功能的钟控浮栅MOS管的采样保持电路无效

专利信息
申请号: 200910155844.2 申请日: 2009-12-29
公开(公告)号: CN101770811A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 杭国强;李锦煊 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G11C27/02 分类号: G11C27/02
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于阈值取消功能的钟控浮栅MOS管的采样保持电路。包括基于钟控浮栅MOS管的采样保持电路和阈值取消电路,PMOS管的漏极与单刀双掷开关的第二脚相连,栅极通过第一开关与电源相连,栅极通过第二开关接地,源极和衬底与电源相连;NMOS管的漏极与单刀双掷开关的第二脚相连,栅极与单刀双掷开关的第二脚相连,源极和衬底接地,所述单刀双掷开关的第三脚接地,第一脚接到基于钟控浮栅MOS管的采样保持电路的输入栅极。通过PMOS管和NMOS管提取出NMOS管的阈值电压,并加到钟控浮栅NMOS管的输入栅极,使整个电路达到取消阈值损失的效果,提高采样保持电路的精度。本发明的结构简单,功耗很低。
搜索关键词: 基于 阈值 取消 功能 钟控浮栅 mos 采样 保持 电路
【主权项】:
一种基于阈值取消功能的钟控浮栅MOS管的采样保持电路,包括基于钟控浮栅MOS管的采样保持电路,其特征在于:还包括一个阈值取消电路,该电路包括PMOS管,NMOS管,两个开关和单刀双掷开关;PMOS管的漏极与单刀双掷开关的第二脚相连,PMOS管的栅极通过第一开关与电源相连,PMOS管的栅极通过第二开关接地,PMOS管源极与电源相连,PMOS管的衬底与电源相连;NMOS管的漏极与单刀双掷开关的第二脚相连,NMOS管的栅极与单刀双掷开关的第二脚相连,NMOS管的源极接地,NMOS管的衬底接地,所述单刀双掷开关的第三脚接地,第一脚接到基于钟控浮栅MOS管的采样保持电路的输入栅极。
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